總是略偏高估的漏電流功耗。

半導體製程在進入180nm製程以下後，低功耗逐漸成為晶片設計不可忽略的重要技術。
 
晶片功耗粗略分為動態功耗和漏電流功耗兩部分，動態功耗與溫度無關，而與電壓、頻率、負載相關，可以透過電壓頻率調變來調整，例如晶片監控電路如果發現自身溫度過高，會降低電壓和頻率來減少散熱壓力。